sodimmddr3電壓

具備低電壓(1.35V)特性，符合JEDEC的U-DIMM及SO-DIMM記憶體模組，相較於標準DDR3記憶體的1.5伏特，耗電更低僅1.35伏特，可有效為企業達到節能減碳的目標。,具備低電壓(1.35V)特性，符合JEDEC的ECCU-DIMM及ECCSO-DIMM記憶體模組，具錯誤修正功能提供絕佳耐用性。此外，相較於標準DDR3記憶體的1.5伏特，耗電更低僅1.35伏特， ...,具備低電壓(1.35V)特性，符合JEDEC的ECCU-DIMM及ECCSO-DIMM記憶體模組，具錯誤修正功能提供絕佳耐...

參考資訊如下
DDR3 1333 Unbuffered SO

具備低電壓(1.35V)特性，符合JEDEC的U-DIMM及SO-DIMM記憶體模組，相較於標準DDR3記憶體的1.5伏特，耗電更低僅1.35伏特，可有效為企業達到節能減碳的目標。

DDR3 1333 ECC SO

具備低電壓(1.35V)特性，符合JEDEC的ECC U-DIMM及ECC SO-DIMM記憶體模組，具錯誤修正功能提供絕佳耐用性。此外，相較於標準DDR3記憶體的1.5伏特，耗電更低僅1.35伏特， ...

DDR3 ECC DIMMs (低電壓)

具備低電壓(1.35V)特性，符合JEDEC的ECC U-DIMM及ECC SO-DIMM記憶體模組，具錯誤修正功能提供絕佳耐用性。此外，相較於標準DDR3記憶體的1.5伏特，耗電更低僅1.35伏特， ...

DDR3 Unbuffered DIMMs (低電壓)

具備低電壓(1.35V)特性，符合JEDEC的U-DIMM及SO-DIMM記憶體模組，相較於標準DDR3記憶體的1.5伏特，耗電更低僅1.35伏特，可有效為企業達到節能減碳的目標。 加入購物車 ...

DDR3 1600 ECC SO

具備低電壓(1.35V)特性，符合JEDEC的ECC U-DIMM及ECC SO-DIMM記憶體模組，具錯誤修正功能提供絕佳耐用性。此外，相較於標準DDR3記憶體的1.5伏特，耗電更低僅1.35伏特， ...

DDR3 1866 Unbuffered SO

具備低電壓(1.35V)特性，符合JEDEC的U-DIMM及SO-DIMM記憶體模組，相較於標準DDR3記憶體的1.5伏特，耗電更低僅1.35伏特，可有效為企業達到節能減碳的目標。

1.35V

電壓代表模組的耗電量。在過去，多數DDR3 記憶體電壓範圍為1.5 - 1.65V。Crucial.com 在近期開始提供雙電壓1.35／1.5 模組。 低電壓記憶體雖在耗電量上優於高電壓 ...

什麼是DDR3L 記憶體

DDR3 SDRAM

DDR3的電壓為1.5V，而DDR3L的電壓為1.35V，記憶體模組上會標記為PC3L。DDR3U的電壓為1.25V，標記為PC3U。低電壓RAM的用電量較少，但效能會弱於標壓DDR3， ...